Основы высокотемпературной криоэлектроники
Здесь можно купить книгу "Основы высокотемпературной криоэлектроники " в печатном или электронном виде. Также, Вы можете прочесть аннотацию, цитаты и содержание, ознакомиться и оставить отзывы (комментарии) об этой книге.
Место издания: Москва|Берлин
ISBN: 978-5-4475-3065-5
Страниц: 237
Артикул: 21309
Краткая аннотация книги "Основы высокотемпературной криоэлектроники"
Изложены основные представления о низкотемпературной и высокотемпературной сверхпроводимости. Рассмотрены эффекты и явления, на которых основана работа устройств криоэлектроники. Приведены данные об основных высокотемпературных сверхпроводниках, их критические параметры, а также сведения о технологии их изготовления. В пособие включен практикум: работы по технологии изготовления и исследования криоэлектронного устройства. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области электронной техники, а также криоэлектроники.
Содержание книги "Основы высокотемпературной криоэлектроники "
Предисловие
Введение
Контрольные вопросы
Глава 1. Сверхпроводимость
1.1. Нулевое сопротивление
1.2. Сверхпроводник в магнитном поле
1.3. Сверхпроводники второго рода. Вихри Абрикосова
1.4. Энергетическая щель. Одночастичное туннелирование
1.5. Эффекты Джозефсона
1.6. Теория Бардина-Купера-Шриффера. Основные результаты
1.7. Особенности высокотемпературной сверхпроводимости
Контрольные вопросы
Глава 2. Высокотемпературные сверхпроводники
2.1. Структура высокотемпературных сверхпроводников
Контрольные вопросы
2.2. Синтез ВТСП материалов
Контрольные вопросы
2.3. Технология объемных сверхпроводников
2.3.1. Методы жидкофазного получения Bi-2212 сверхпроводников
2.3.2. Методы жидкофазного получения Y-123 сверхпроводников
Контрольные вопросы
2.4. Технология пленочных сверхпроводников
2.4.1. Физические методы получения тонких пленок
2.4.2. Химические методы получения пленок и покрытий
2.4.3. Подложки. Буферные слои
Контрольные вопросы
2.5. Основные свойства сверхпроводников
2.5.1. Переход металл-изолятор
2.5.2. Терморезистивные характеристики
2.5.3. Критический ток
2.5.4. Высокотемпературные сверхпроводники в магнитном поле
Контрольные вопросы
Глава 3. Устройства криоэлектроники
3.1. Пассивные сверхвысокочастотные устройства
3.1.1. Микрополосковые линии. Линии задержки
3.1.2. Фильтры
3.1.3. Резонаторы
3.1.4. Приборы на S – N переходах
Контрольные вопросы
3.2. Болометры
Контрольные вопросы
3.3. Устройства на основе переходов Джозефсона
3.3.1. Джозефсоновские криотроны
3.3.2. Цифровые устройства на Д-криотронах
3.3.3. Квантроны
3.3.4. Приемные устройства
3.3.5. Генераторы
Контрольные вопросы
3.4. Устройства на основе квантовых интерферометров
3.4.1. Сверхпроводящий квантовый интерферометр
3.4.2. Цифровые устройства на основе СКВИДов
3.4.3. Магнитометры и градиентометры
3.4.4. Магнитометрические системы
Контрольные вопросы
3.5. Магнитные экраны
Контрольные вопросы
Глава 4. Лабораторный практикум
4.1. Синтез ВТСП материалов
Общие сведения
Задания
Контрольные вопросы
4.2. Получение и исследование тонкопленочных ВТСП элементов
Общие сведения
Задания
Контрольные вопросы
4.3. Получение и исследование колец-фрагментов магнитного экрана
Задания
Контрольные вопросы
4.4. Исследование свойств колец-фрагментов магнитного экрана
Общие сведения
Задания
Контрольные вопросы
4.5. Изготовление и исследование свойств магнитных экранов
Общие сведения
Задания
Контрольные вопросы
Заключение
Библиографический список
Предметный указатель
Все отзывы о книге Основы высокотемпературной криоэлектроники
Отрывок из книги Основы высокотемпературной криоэлектроники
циркулирующие сверхпроводящие токи j, которые в объеме создают встречное магнитное поле индукции – B. Такое состояние является термодинамически равно-весным, т.е. оно устанавливается при любой последова-тельности операций охлаждения и включения магнитного поля и остается стабильным, пока не изме-няются поле или температура. Поверхностный характер сверхпроводящих токов обусловлен вторым уравнением Максвелла: rot B=j. (1.5) Поскольку поле B в условиях эффекта Мейсснера в образце отсутствует, rot B также обращается в нуль. Из (1.5) следует, что в этом объеме отсутствуют и токи j. Однако магнитное поле не может быть вытолкнуто из всего объема сверхпроводника до самой поверхно-сти, т.к. это привело бы к скачку магнитного поля от 0 до величины B и существованию бесконечно больших поверхностных токов. Следовательно, магнитное поле проникает в приповерхностный слой сверхпроводника на некоторую глубину λ – глубину проникновения. В этом же слое текут и сверхпроводящие токи. Для оцен-ки глубины проникновения используют следующее выражение: B(x)=B(0)exp(-x/λ), (1.6) где B(0) – индукция магнитного поля вне сверхпровод-ника; B(x) – индукция магнитного поля внутри сверхпро-водника; x – текущая координата. Теория сверхпроводимости дает оценку для глуби-ны проникновения: 02µλSnem=, (1.7) где m – масса электрона. 24
Игумнов В. Н. другие книги автора
С книгой "Основы высокотемпературной криоэлектроники" читают
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Основы высокотемпературной криоэлектроники (автор Владимир Игумнов)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!
и мы свяжемся с вами в течение 15 минут
за оставленную заявку