Радиационно-индуцированные процессы в широкозонных нестехиометрических оксидных диэлектриках

Содержание книги "Радиационно-индуцированные процессы в широкозонных нестехиометрических оксидных диэлектриках "

Предисловие
Сведения об авторах
Список основных сокращений и обозначений
Глава 1. Дозовые эффекты в конденсированных средах под действием излучений
1.1. Первичные процессы
1.2. Вторичные процессы
Глава 2. Методы радиационных измерений
2.1. Измерения мощности дозы
2.1.1. Полупроводниковые детекторы
2.1.2. Сцинтилляционные детекторы
2.2. Измерения поглощенной дозы
2.2.1. Калориметрический метод
2.2.2. ЭПР-дозиметрия
2.2.3. Люминесцентная дозиметрия
ТСЛ- и ОСЛ-дозиметрия
Радиофотолюминесцентная дозиметрия
2.2.4. ТСЭЭ-дозиметрия
Глава 3. Кинетические модели термостимулированной люминесценции
3.1. Зонная схема обобщенной модели ТСЛ в широкозонных материалах
3.2. Дифференциальные кинетические уравнения
3.3. Общие подходы к решению систем кинетических уравнений
3.4. Кинетические параметры
3.5. Краткий обзор основных типов кинетических моделей ТСЛ
3.6. Кинетические модели ТСЛ с учетом конкурирующего влияния глубоких ловушек
3.6.1. Модель конкурирующих электронных ловушек
3.6.2. Модель конкурирующих центров рекомбинации
3.6.3. Модель одновременной конкуренции между электронными ловушками и центрами рекомбинации
Глава 4. Люминесцентные свойства нестехиометрических оксидных диэлектриков
4.1. Способы создания анионных дефектов в оксидах
4.2. Центры люминесценции в анион-дефектных монокристаллах оксида алюминия
4.3. Люминесцирующие керамики оксидов алюминия, циркония и магния
4.3.1. Анион-дефектная ультрадисперсная керамика оксида алюминия
4.3.2. Наноструктурный моноклинный диоксид циркония
4.3.3. Ультрадисперсная керамика оксида магния
4.4. Глубокие ловушки в широкозонных оксидах
Глава 5. Эффекты сенситизации и десенситизации термолюминесценции в облученных оксидных диэлектриках
5.1. Высокотемпературная ТСЛ в анион-дефектном оксиде алюминия после возбуждения различными видами излучений
5.1.1. УФ-облучение
5.1.2. Рентгеновское излучение
5.1.3. Импульсный электронный пучок
5.2. Влияние заселенности глубоких ловушек на ТСЛ дозиметрического пика в оксиде алюминия
5.2.1. Сенситизация ТСЛ после заполнения глубоких ловушек при постоянной температуре
5.2.2. Сенситизация ТСЛ после ступенчатого заполнения и опустошения глубоких ловушек при разных температурах
Заполнение глубоких ловушек УФ-излучением
Заполнение глубоких ловушек рентгеновским излучением
Заполнение глубоких ловушек импульсным электронным пучком
5.3. Электронные и дырочные глубокие центры захвата в анион-дефектном оксиде алюминия
5.4. Роль дырочных ловушек в ТСЛ дозиметрического пика в АДК оксида алюминия
5.5. Сенситизация ТСЛ мелких ловушек в АДК оксида алюминия
5.6. ТСЛ глубоких ловушек и сенситизация в анион-дефектном оксиде магния
Глава 6. Температурная зависимость процессов конкурирующего взаимодействия ловушек в облученных широкозонных оксидах
6.1. Температурная зависимость вероятности захвата носителей заряда на глубокие центры в модели конкурирующих электронных ловушек
6.2. Тушение ТСЛ в дозиметрическом пике оксида алюминия
6.2.1. Радиационно окрашенные монокристаллы
6.2.2. Ультрадисперсная анион-дефектная керамика
6.3. Тушение ТСЛ глубоких ловушек
6.4. Особенности фототрансферной термолюминесценции
6.5. Роль глубоких ловушек в формировании сверхлинейности дозовой зависимости ТСЛ
6.5.1. Результаты эксперимента
6.5.2. Результаты расчета
6.6. Температурная ионизация F-центров в анион-дефектном оксиде алюминия
6.6.1. Экспериментальные подтверждения термической ионизации F-центров
6.6.2. Зонная схема и математическое описание модели
6.6.3. Результаты моделирования
Температурная зависимость заполнения ловушек
Температурное тушение люминесценции
6.7. Безызлучательная релаксация электронных возбуждений в моноклинном диоксиде циркония
6.7.1. Зависимость квантового выхода ФЛ от температуры
6.7.2. ТСЛ наноструктурного диоксида циркония и ее кинетические параметры
6.7.3. Влияние скорости нагрева на светосумму ТСЛ наноструктурного диоксида циркония
6.7.4. Физическая интерпретация механизма и параметров температурного тушения люминесценции
Глава 7. Применение детекторов ТЛД(500К на основе анион(дефектного оксида алюминия в люминесцентной дозиметрии ионизирующих излучений
7.1. Индивидуальная дозиметрия
7.2. Высокодозные измерения
7.3. Модификация дозиметрических свойств детекторов
7.3.1. Термооптическая обработка
7.3.2. Повторное измерение дозиметрического ТСЛ-сигнала
7.3.3. Термолучевая подготовка детекторов к экспозициям
7.3.4. Методика измерения дозы тепловых нейтронов и смешанных полей
Литература
Предметный указатель