МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники

книга

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники

Здесь можно купить книгу "МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники " в печатном или электронном виде. Также, Вы можете прочесть аннотацию, цитаты и содержание, ознакомиться и оставить отзывы (комментарии) об этой книге.

Автор: Р. Акчурин, А. Мармалюк

Форматы: PDF

Издательство: Техносфера

Год: 2018

Место издания: Москва

ISBN: 978-5-94836-521-3

Страниц: 488

Артикул: 77426

Возрастная маркировка: 16+

Электронная книга

749 ₽

Купить и скачать

Читать фрагмент

Аннотация

Краткая аннотация книги "МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники"

В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников A III B V , A II B VI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.

Содержание

Содержание книги "МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники "

Введение
Глава 1. Общая характеристика метода
Глава 2. Термодинамические и кинетические аспекты МОСГЭ
Глава 3. Массоперенос
Глава 4. Источники, используемые для получения ЭС A^IIIB^V и A^IIB^VI
Глава 5. Механизмы и кинетика химических реакций
Глава 6. Процессы на поверхности роста
Глава 7. Оборудование МОСГЭ
Глава 8. Моделирование МОСГЭ
Глава 9. МОСГЭ полупроводников A^IIIB^V
Глава 10. МОСГЭ полупроводников A^IIB^VI
Глава 11. Другие классы материалов

Отзывы

Все отзывы о книге МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники

Чтобы оставить отзыв, зарегистрируйтесь или войдите

Отрывок из книги МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники

Реакции в газовой фазеРеакции на поверхности роста(CH3)2CH2Ga +·H®(CH3)3Ga(CH3)2CH2Ga®®(CH3)CH2Ga +·СH3(CH3)CH2Ga®CH2Ga +·СH3(CH3)3Ga +·H®(CH3)2Ga + CH4(CH3)2Ga +·H®CH3Ga + CH4(CH3)2Ga +·СH3®®(CH3)CH2Ga + CH4(CH3)CH2Ga +·H®(CH3)2GaAsH2+ As(п)®·AsH + H·AsH3+ As(п)®·AsH + H2·СH3+·H(Ga)®CH4+ Ga(п)·СH3+·H(As)®CH4+ As(п)·H +·СH3(Ga)®CH4+ As(п)·H +·СH3(As)®CH4+ Ga(п)·H(Ga)+·СH3(As)®CH4+ As(п)+ Ga(п)·H(As)+·СH3(Ga)®CH4+ As(п)+ Ga(п)·H(As)+·H(Ga)®H2+ As(п)+ Ga(п)·СH3(As)+·СH3(Ga)®C2H6+ As(п)+ Ga(п)CH3Ga +·AsH®GaAs + CH4+ Ga(п)+ As(п)·AsH +·AsH®As2+ H2+ 2As(п)·СH3+·AsH®·As + CH4·As +·As«As2+ 2As(п)CH3Ga +·As®GaAs +·СH3+ Ga(п)+ As(п)Нижний индекс(п)означает принадлежность соответствующего атома к поверхностиосаждения.Особенности протекания химических процессов при МОСГЭ в сущест-венной мере зависят от технологических условий проведения процесса [2].Рассмотрим подробнее процессы пиролиза и химического взаимодействияреагентов на примере наиболее изученных систем AIII-BV.5.1. Пиролиз источниковВопросы устойчивости МОС являлись объектом исследований многих авто-ров, результаты которых подробно рассмотрены и систематизированы в об-зорных работах [3—6]. Здесь мы коснемся только основных моментов.Протекание гомогенных или гетерогенных реакций термического разло-жения МОС обычно происходит в несколько последовательных этапов, ки-нетика которых зависит как от природы источника, так и от температурыпроведения процесса эпитаксии, состава газовой фазы, давления в реактореустановки МОСГЭ. Наиболее простой механизм пиролиза основывается нагомолитическом распаде МОС с последовательным отщеплением органиче-ских радикалов. Примером может служить пиролиз ТМIn (рис. 5.1).В приведенном примере, характерном для метильных МОС, реакции пи-ролиза сопровождаются образованием свободных радикалов, которые, обла-дая ненасыщенной химической связью, легко связываются с атомами на по-верхности подложки и в значительной мере оказываются ответственными зазагрязнение выращиваемых ЭС углеродом.5.1. Пиролиз ...

С книгой "МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники" читают