Системы на кристалле со встроенными антеннами на наногетероструктурах А3В5
Здесь можно купить книгу "Системы на кристалле со встроенными антеннами на наногетероструктурах А3В5 " в печатном или электронном виде. Также, Вы можете прочесть аннотацию, цитаты и содержание, ознакомиться и оставить отзывы (комментарии) об этой книге.
ISBN: 978-5-94836-526-8
Страниц: 528
Артикул: 77481
Краткая аннотация книги "Системы на кристалле со встроенными антеннами на наногетероструктурах А3В5"
В сборник вошли статьи сотрудников Федерального государственного автономного научного учреждения «Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова» Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН), опубликованные в период 2010-2017 гг. по новым направлениям исследований наногетероструктур А<sup>3</sup>В<sup>5</sup> (арсенид галлия и нитрид галлия): расчет и моделирование систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для крайне высоких частот, создание фотопроводящих антенн для терагерцевых устройств. Статьи использованы при выполнении работ по заказу Минобрнауки России в рамках: ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники » на 2008-2015 годы, ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы, ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России» на 2007-2013 годы и на 2014-2020 годы.
Содержание книги "Системы на кристалле со встроенными антеннами на наногетероструктурах А3В5 "
Введение
Глава 1. Малогабаритные встроенные антенны сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн
Глава 2. Фотопроводящие материалы и интегральные антенны на их основе для терагерцевого диапазона частот
Глава 3. Системы на кристалле со встроенными антеннами
Приложение А. Результаты интеллектуальной деятельности ИСВЧПЭ РАН за 2010–2017 гг.
Приложение Б. Усилители мощности и малошумящие усилители для диапазона частот 8–12 ГГц. Обзор
Приложение В. Усилители в монолитном исполнении для диапазона частот 57–67 ГГц. Обзор
Приложение Г. Генераторы, управляемые напряжением для диапазона частот 57–67 ГГц. Обзор
Приложение Д. Схемотехнические и конструкторские решения для смесителей для диапазона частот 57–67 ГГц. Обзор
Приложение Е. Радиоприемные устройства для диапазона частот 57–67 ГГц. Обзор
Приложение Ж. Стратегическая программа исследований технологической платформы «СВЧ4технологии»
Приложение З. Справочный лист комплекта монолитных интегральных схем на нитриде галлия для диапазона 57–64 ГГц
Перечень сокращений, условных обозначений, символов, единиц, терминов
Все отзывы о книге Системы на кристалле со встроенными антеннами на наногетероструктурах А3В5
Отрывок из книги Системы на кристалле со встроенными антеннами на наногетероструктурах А3В5
Uпр= 1590 В [5] и даже более 2000 В [6] при удалении подложки Si). Достиг-нутые результаты, позволили создать конкурентоспособные ключевые тран-зисторы на нитридных гетероструктурах для силовой электроники [7], мас-совый выпуск которых планируется в ближайшие годы [8]. Кроме того, ужеосвоено производство высокоэффективных ключевых УМ (диапазона частотдо 2,5 ГГц (RFMD [9]) с КПД до 70% при выходной мощности до 25 Вт.К сожалению, данная технология применима только в низкочастотных диа-пазонах, поскольку «field-plated-электроды» многократно увеличивают емко-сти затворовCgsиСgd, что резко снижает частотные параметры транзисторов(в лучшем случаеfT= 10—20 ГГц, аfmax= 40—50 ГГц [10]). По этой причине,в частности, МИС УМC- иХ-диапазонов частот имеют более скромные па-раметры: получены выходные мощности 40 (60% PAE) и 58 Вт (38% PAE)соответственно [11, 12].На основании исследования широкого набора широкозонных AlGaN/GaN НЕМТ с различной длиной затворовLg,толщиной барьерного слояtbarвработе[13]былиустановленыопределенныефеноменологическиезакономерности, которым подчиня-ютсячастотныепараметрытран-зисторов,выражаемыекритериемкачестваftLg, в зависимости от ас-пектного отношенияLg/tbar, показан-ные графически на рис. 1.1.Суть установленных закономер-ностей физически означает следую-щее.ПриаспектномотношенииLg/tbar> 15 транзисторы работают вклассическом режиме при сравни-тельно низких полях в области затво-ра, коротко-канальные эффекты непроявляются, эффективная дрейфо-вая скорость электроновVe-эффпрак-тически постоянна, поэтому предель-ная частота усиления по токуfT==Ve/2pLgувеличиваетсяпомереуменьшения длины затвораLg. Одна-ко,приуменьшенииаспектногоотношенияLg/tbar< 15, начинаютпроявляться короткоканальные эф-фекты, особенно приLg/tbar< 10. Вэтом случае величинаfTперестаетрасти с уменьшениемLgи выходит нанасыщение (рис. 1.2).Следует отметить, что уменьше-ние аспектного отношения приводитк снижению пробивного напряже-Б.1. Аналитический обзор современной научно-технич...
С книгой "Системы на кристалле со встроенными антеннами на наногетероструктурах А3В5" читают
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Системы на кристалле со встроенными антеннами на наногетероструктурах А3В5 (автор )", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!
и мы свяжемся с вами в течение 15 минут
за оставленную заявку