Электроника

Содержание книги "Электроника "

1. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫХ ПЕРЕХОДАХ
1.1. Понятие и образование электронно-дырочного перехода
1.2. Энергетическая диаграмма p-n-перехода в равновесном состоянии
1.3. Неравновесное состояние p-n-перехода
1.4. Вольтамперная характеристика реального p-n-перехода
1.5. Лабораторное задание № 1 «Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов»
1.6. Контрольные вопросы
2. ВИДЫ ПРОБОЕВ P-N-ПЕРЕХОДА
2.1. Общая характеристика пробоя p-n-перехода
2.2. Тепловой пробой p-n-перехода
2.3. Полевой пробой
2.4. Лавинный пробой
2.5. Параметры стабилитронов
2.6. Параметрический стабилизатор напряжения
2.7. Лабораторное задание № 2 «Исследование характеристик и параметров стабилитронов»
2.8. Контрольные вопросы
3. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫХ ПЕРЕХОДАХ С ТУННЕЛЬНЫМ ЭФФЕКТОМ
3.1. Понятие и особенности электронно-дырочных переходов с туннельным эффектом
3.2. Вольтамперная характеристика идеального электронно-дырочного перехода с туннельным эффектом
3.3. Вольтамперная характеристика реального электронно-дырочного перехода с туннельным эффектом
3.4. Влияние температуры окружающей среды на ВАХ реального туннельного диода
3.5. Параметры электронно-дырочного перехода с туннельным эффектом
3.6. Использование туннельного диода в качестве усилителя
3.7. Лабораторное задание № 3 «Исследование характеристик и параметров туннельных диодов»
3.8. Контрольные вопросы
4. УСТРОЙСТВО И ПРИНЦИП РАБОТЫ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
4.1. Определение и классификация транзисторов
4.2. Устройство биполярного транзистора
4.3. Физические основы работы биполярного транзистора
4.4. Статические характеристики биполярного транзистора
4.5. Н-параметры биполярного транзистора в схеме включения с общей базой
4.6. Эквивалентные Т-образные схемы биполярного транзистора в схеме включения с общей базой
4.7. Лабораторное задание № 4 «Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора в схеме включения с общей базой»
4.8. Связь между токами биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером
4.9. Входные характеристики биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером
4.10. Выходные характеристики биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером
4.11. Влияние температуры на выходные характеристики БТ в схеме включения с общим эмиттером
4.12. Влияние режима работы биполярного транзистора и температуры окружающей среды на коэффициент передачи по току в схеме включения с ОЭ
4.13. Система Н-параметров биполярного транзисторав схеме включения с общим эмиттером
4.14. Лабораторное задание № 5 «Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером»
4.15. Контрольные вопросы
5. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N-ПЕРЕХОДОМ
5.1. Устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
5.2. Выходные характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
5.3. Сток-затворные характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
5.4. Влияние температуры на сток-затворную характеристику полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
5.5. Параметры полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом
5.6. Эквивалентные схемы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
5.7. Лабораторное задание № 6 «Исследование характеристик и параметров полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом»
5.8. Контрольные вопросы
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
ПРИЛОЖЕНИЯ