Технология химического осаждения пленок халькогенидов металлов
Здесь можно купить книгу "Технология химического осаждения пленок халькогенидов металлов " в печатном или электронном виде. Также, Вы можете прочесть аннотацию, цитаты и содержание, ознакомиться и оставить отзывы (комментарии) об этой книге.
Автор: Лариса Маскаева, Вячеслав Марков, Наталья Форостяная, Екатерина Федорова, Станислав Туленин
Форматы: PDF
Издательство: Издательство Уральского университета
Год: 2018
Место издания: Екатеринбург
ISBN: 978-5-7996-2411-8
Страниц: 139
Артикул: 99942
Краткая аннотация книги "Технология химического осаждения пленок халькогенидов металлов"
В учебном пособии изложены теоретический материал и алгоритмы выполнения курсовых работ, предлагаемых студентам по ряду профильных дисциплин, связанных с прогнозированием условий и проведением процесса осаждения полупроводниковых пленок на основе халькогенидов металлов и других сопутствующих фаз. Приведены необходимый для выполнения расчетов обширный справочный материал, рекомендации по содержанию и оформлению отчетов. Исходя из известных рабочих рецептур, подобраны различные варианты индивидуальных заданий по курсовым работам. Предназначено для студентов бакалавриата и магистрантов, обучающихся по программе «Химическая технология материалов электроники, сенсорной аналитики и неорганических веществ», будет полезно аспирантам различных специальностей и преподавателям вузов.
Содержание книги "Технология химического осаждения пленок халькогенидов металлов "
Предисловие
Введение
1. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ГРАНИЧНЫХ УСЛОВИЙ ОБРАЗОВАНИЯ ТВЕРДЫХ ФАЗ ХАЛЬКОГЕНИДА, ГИДРОКСИДА И ЦИАНАМИДА МЕТАЛЛА
1.1. Расчет граничных условий образования халькогенидов, гидроксидов и цианамидов металла при осаждении тио-, селенокарбамидом
1.2. Расчет граничных условий образования сульфида и гидроксида металла при осаждении тиоацетамидом
1.3. Расчет граничных условий образования селенида и гидроксида металла при осаждении селеносульфатом натрия
1.4. Пример выполнения расчета граничных условий образования твердой фазы CdS при осаждении тиокарбамидом
1.5. Учет кристаллизационного фактора при образовании халькогенидов металлов
Требования к оформлению курсовой работы
Курсовая работа 1
2. РАСЧЕТ УСЛОВИЙ ОБРАЗОВАНИЯ ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ЗАМЕЩЕНИЯ ПО СТЕПЕНИ ПРЕВРАЩЕНИЯ СОЛИ МЕТАЛЛА
Общие положения по определению области образования твердых растворов замещения халькогенидов металлов по степени превращения соли металла
Курсовая работа 2
3. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКАЯ ОЦЕНКА СПОСОБНОСТИ ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ
3.1. Ионный обмен на межфазной границе «халькогенид металла – водный раствор»
3.2. Основы термодинамического анализа вероятности протекания реакции ионного обмена на межфазной границе «тонкая пленка A2XnТВ – водный раствор металла-заместителя»
Курсовая работа 3
4. ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ
4.1. Химические транспортные реакции
4.2. Направление химических транспортных реакций
4.3. Классификация химических транспортных реакций
4.4. Термодинамический расчет химического транспорта арсенида галлия парами воды
Курсовая работа 4
Приложение
Библиографические ссылки
Список рекомендуемой литературы
Все отзывы о книге Технология химического осаждения пленок халькогенидов металлов
Отрывок из книги Технология химического осаждения пленок халькогенидов металлов
22Из уравнений (1.52) видно, что селенид-ионы лишь частично находятсяв свободном (незакомплексованном) виде, поэтому суммарная аналитическаяконцентрация селена СSe в водном растворе селеносульфата натрия равнаCSe = [H2Se] + [HSe–] + [Se2–]Долевые концентрации различных форм селеноводорода определяютсяаналогично сероводороду, образующемуся при разложении тиоацетамида: 2232H SeSeSe[H O ][H Se]βC(1.53)–13HSeHSeSeSe[H O ][HSe ]βkC22–1, 22H SеSeSеSе[Sе ]βkCИз приведенных уравнений следует, что сумма долевых концентрацийразличных форм селеноводорода равна 1.Показатели, связывающие ступенчатые константы ионизации H2Se (Se)и рН, можно определить по формуле2+ 2+11, 2Se33Н SeHSeβ[H O ][H O ]kkОтметим, что при разложении селеносульфата натрия селеноводороди сульфат-ионы образуются в эквимолярных количествах, т. е. выполняетсяследующее равенство:2–4Se0SOСCCПодставим в уравнение (1.52) выражение (1.53) и представим константуравновесия процесса разложения СС в виде 222–2+ 20H Se2p4p03С2–2–2–3p3p3pSe[H Se][SO ][H O ][SeSO ][SeSO ][SeSO ]βCCK (1.54)Из выражения (1.54) определим2–C3pSe0+3[SeSO ]β[H O ]KC
Маскаева Л. Н. другие книги автора
С книгой "Технология химического осаждения пленок халькогенидов металлов" читают
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Технология химического осаждения пленок халькогенидов металлов (автор Лариса Маскаева, Вячеслав Марков, Наталья Форостяная, Екатерина Федорова, Станислав Туленин)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!
и мы свяжемся с вами в течение 15 минут
за оставленную заявку