Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники : оксид бериллия
Здесь можно купить книгу "Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники : оксид бериллия" в печатном или электронном виде. Также, Вы можете прочесть аннотацию, цитаты и содержание, ознакомиться и оставить отзывы (комментарии) об этой книге.
Автор: Игорь Огородников, Владимир Иванов
Форматы: PDF
Издательство: Издательство Уральского университета
Год: 2019
Место издания: Екатеринбург
ISBN: 978-5-7996-2601-3
Страниц: 323
Артикул: 100523
Краткая аннотация книги "Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники"
Учебное пособие «Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники. Оксид бериллия» направлено на развитие у студентов навыков создания теоретических и математических моделей и методов расчета современных физических установок и устройств автоматики физических установок, приборов радиационной безопасности человека и окружающей среды, а также различных приборов биофизического и медицинского назначения.
Содержание книги "Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники : оксид бериллия"
Предисловие
1. Радиационные воздействия излучения на материалы и компоненты микроэлектронной техники
1.1. Влияние радиации на материалы электронной техники
1.2. Радиационные эффекты в МОП-структурах
1.3. Радиационные эффекты в биполярных транзисторах
1.4. Пути повышения радиационной стойкости компонентов
2. Оксид бериллия. Получение и свойства
2.1. Общая характеристика
2.2. Кристаллическая структура
2.3. Кристаллофизика и динамика решетки
2.4. Методы получения BeO
3. Энергетическая структура и электронные возбуждения
3.1. Квантово-химические расчеты электронной структуры
3.2. Элементарные электронные возбуждения
3.3. Спектры оптических постоянных и потерь энергии
4. Сосуществование СЭ и АЛЭ
4.1. Автолокализация электронных возбуждений
4.2. Сосуществование СЭ и АЛЭ в BeO
4.3. Короткоживущее оптическое поглощение АЛЭ в BeO
4.4. Поляризованная люминесценция АЛЭ
4.5. Околопримесные экситоны в BeO
4.6. Особенности автолокализации экситонов в оксидах
5. Дефекты решетки
5.1. Кристаллохимические аспекты дефектообразования
5.2. Собственные и примесные точечные дефекты
5.3. Комплексные дефекты
6. Оптические переходы и электронная структура дефектов
6.1. Оптические переходы в точечных дефектах
6.2. Люминесценция точечных дефектов
6.3. Электронная структура дефектов
7. Накопление, отжиг и трансформация дефектов
7.1. Биографические дефекты
7.2. Накопление радиационных дефектов
7.3. Отжиг и трансформация радиационных дефектов
8. Флуктуационное разупорядочение BeO
8.1. Флуктуационная перестройка и особенности динамики решетки
8.2. Спонтанная эмиссия BeO и флуктуационная перестройка
8.3. Особенности ТСЛ в области трансформации АЛЭ
Заключение
Список библиографических ссылок
Предметно-именной указатель
Приложения
А. Электронное строение оксида бериллия
Б. Точечные дефекты оксида бериллия
В. Электронная структура точечных дефектов
Г. Температурные границы проявления «аномалий» в BeO
Все отзывы о книге Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники : оксид бериллия
Отрывок из книги Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники : оксид бериллия
1. Радиационные воздействия излучения на материалы и компонентыРис. 1.18. Спектры шумового напряженияn-МОП-структур (130 нм) до радиа-ционного воздействия (сплошные кривые) и послеγ-облучения источником60Co(светлые кружки):а– стандартная компоновка,D= 100 кГр;б– закрытая ком-поновка,D= 1 МГр [56]Шумовые характеристикиn-МОП-структуры с закрытой компонов-кой также более устойчивы к радиационному воздействию в сравне-нии с таковыми для стандартной компоновки. На рис. 1.18 приведеныспектры шумового напряжения двухn-МОП-структур (130 нм) послеγ-облучения (60Co). Из рис. 1.18 видно, что в случае стандартной ком-поновки радиационное воздействие дозой 100 кГр привело к увеличе-нию в несколько раз шумового напряжения по всему спектру. В случаезакрытой компоновкиn-МОП-структура демонстрирует гораздо боль-шую радиационную стойкость: даже десятикратное повышение дозыпо сравнению с первым случаем не привело к сколько-нибудь замет-ному повышению шумового напряжения по всему спектру.Радиационная стойкостьp-МОП-структур.При прочих равныхусловиях радиационная стойкостьp-МОП-структур выше таковой дляn-МОП-структур. Причина этого состоит в том, что радиационно-индуцированный положительный электрический заряд, локализован-ный на мелких канавках изолирующего оксидного слоя, не оказываетвлияния на токи утечкиp-МОП-структур, поскольку подложка тамимеетn-тип проводимости. В результате, полупроводник (Si), располо-женный подSTI (мелкими канавками изолятора), просто накапливаеткомплементарный зарядвместо инверсии проводимости. На рис. 1.19приведены спектры шумового напряженияp-МОП- иn-МОП-структур(90 нм) в стандартной компоновке после радиационного воздействияγ-излучением (60Co, 1 МГр). На рис. 1.19 приведены спектры шу-мового напряженияp-МОП- иn-МОП-структур (90 нм) в стандарт-ной компоновке, измеренные до радиационного воздействия и послеγ-облучения 1 МГр от источника60Co. Из рис. 1.19 следуют два ка-чественных вывода о радиационной стойкости этих МОП-структур.42
другие книги автора
С книгой "Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники" читают
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники : оксид бериллия (автор Игорь Огородников, Владимир Иванов)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!
и мы свяжемся с вами в течение 15 минут
за оставленную заявку