Физические основы микро- и наноэлектроники

Содержание книги "Физические основы микро- и наноэлектроники "

Предисловие
1. Физический эффект и его компоненты
1.1. Определение физического эффекта
1.2. Физические эффекты в электронике
2. Однородный полупроводник
2.1. Собственный полупроводник
2.2. Электронный полупроводник
2.3. Дырочный полупроводник
3. Уровень Ферми
Задачи к практическому занятию № 1
4. Дрейф. Электропроводность
5. Генерация и рекомбинация в полупроводниках
6. Диффузионный ток. Законы движения носителей заряда в полупроводниках
Задачи к практическому занятию № 2
7. Применение однородных полупроводников
7.1. Варисторы
7.2. Терморезисторы
7.3. Фоторезисторы
8. p-n Переход
8.1. Определение и классификация p-n переходов
8.2. Технология производства p-n перехода
8.3. Равновесное состояние p-n перехода
8.4. Ток в p-n переходе в равновесном состоянии
8.5. Контактная разность потенциалов
8.6. Энергетическая диаграмма p-n перехода в равновесном состоянии
8.7. Неравновесное состояние p-n перехода
8.8. Идеальный p-n переход
8.9. Реальный p-n переход
8.10. Эквивалентные схемы реального p-n перехода
8.11. Пробой p-n перехода
8.12. Туннелирование в сильнолегированных p-n переходах
Задачи к практическому занятию № 3
Задачи к практическому занятию № 4
9. Гетеропереходы
9.1. Общие сведения о гетеропереходах
9.2. Энергетическая диаграмма гетероперехода
9.3. Прямосмещенный гетеропереход
9.4. Получение гетеропереходов
9.5. Электрические свойства гетеропереходов
9.6. Применение гетеропереходов в оптоэлектронике
Библиографический список
Приложение. Домашние задания