Методы катионного и анионного допирования кислородноионных и протонных проводников

книга

Методы катионного и анионного допирования кислородноионных и протонных проводников

Здесь можно купить книгу "Методы катионного и анионного допирования кислородноионных и протонных проводников " в печатном или электронном виде. Также, Вы можете прочесть аннотацию, цитаты и содержание, ознакомиться и оставить отзывы (комментарии) об этой книге.

Автор: Наталия Тарасова, Ирина Анимица

Форматы: PDF

Издательство: Издательство Уральского университета

Год: 2020

Место издания: Екатеринбург

ISBN: 978-5-7996-2949-6

Страниц: 115

Артикул: 101150

Электронная книга

172.5 ₽

Купить и скачать

Читать фрагмент

Аннотация

Краткая аннотация книги "Методы катионного и анионного допирования кислородноионных и протонных проводников"

В учебном пособии описаны способы модификации и методы изучения структуры и физико-химических свойств функциональных материалов на основе сложных оксидов. Рассмотрены вопросы взаимосвязи состава и структуры соединений с их физико-химическими характеристиками. Адресовано студентам высших учебных заведений, обучающимся на различных образовательных уровнях (бакалавриат, магистратура), углубленно изучающим химию твердого тела, электрохимию, современное неорганическое материаловедение.

Содержание

Содержание книги "Методы катионного и анионного допирования кислородноионных и протонных проводников "

Введение
1. КИСЛОРОДНО-ИОННАЯ И ПРОТОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ В СЛОЖНЫХ ОКСИДАХ СО СТРУКТУРОЙ ПЕРОВСКИТА
1.1. Примесное разупорядочение кислородной подрешетки сложных оксидов
1.2. Структурное разупорядочение кислородной подрешетки сложных оксидов
1.3. Структура и физико-химические свойства Ba2In2O5
2. КАТИОННОЕ ДОПИРОВАНИЕ
2.1. Изовалентное замещение в А- и В-подрешетках
2.2. Гетеровалентное замещение в А-подрешетке
2.3. Гетеровалентное замещение в В-подрешетке
3. АНИОННОЕ ДОПИРОВАНИЕ
3.1. Структурные особенности фторзамещенных сложных оксидов
3.1.1. Рентгеновские исследования
3.1.2. Спектроскопические исследования
3.2. Процессы гидратации и состояние кислородно-водородных групп во фторзамещенных сложных оксидах
3.2.1. Термогравиметрические и масс-спектрометрические исследования
3.2.2. Формы кислородно-водородных групп
3.3. Транспортные свойства фторзамещенных сложных оксидов
3.3.1. Температурные зависимости электропроводности
3.3.2. Числа переноса и парциальные проводимости
3.3.3. Подвижность вакансий кислорода и протонов
3.4. Химическая устойчивость фторзамещенных сложных оксидов
Заключение
Задания для самостоятельной работы
Библиографические ссылки

Отзывы

Все отзывы о книге Методы катионного и анионного допирования кислородноионных и протонных проводников

Чтобы оставить отзыв, зарегистрируйтесь или войдите

Отрывок из книги Методы катионного и анионного допирования кислородноионных и протонных проводников

122. КАТИОННОЕ ДОПИРОВАНИЕ2.1. Изовалентное замещениев А- и В-подрешеткахИзовалентное допирование предполагает замещение ионовв А- и (или) В-подрешетках на ионы с той же степенью окисления,что позволяет сохранить исходный уровень вакансий кислорода.Известны исследования по изучению электрических свойств Ga-за-мещенного Ba2In2O5 [26, 27]. Так, в работе [26] рассматриваетсясистема Ba2(In1 –хGaх)2O5 (0.00  x  0.50). Соединения с х  0.25описываются кубической симметрией с пространственной группойPm3m. Данный тип симметрии характерен для них при комнатнойтемпературе, в то время как для недопированного Ba2In2O5 он до-стигается лишь при Т > 1070 °С, когда происходит разупорядоче-ние кислородных вакансий. То есть такое замещение приводит к ста-билизации разупорядоченной структуры индата бария. При этомпараметр кубической ячейки Ba2(In1 –хGaх)2O5 уменьшается с увели-чением концентрации галлия, так как ионный радиус Ga3+ (0.62 Å)меньше, чем In3+ (0.79 Å). Ионы Ga3+ занимают позиции ионов In3+произвольным образом, в результате чего чередование слоев октаэд-ров InO6 и тетраэдров InO4 происходит также в случайном порядке.Исследование температурной зависимости электропроводнос-ти составов Ba2(In1 –хGaх)O5 в сухой атмосфере показало, что наибо-лее высокопроводящим является состав с х = 0.25. При этом доми-нирующей при температуре ниже 930 оС и высоких парциальныхдавлениях кислорода является электронная проводимость р-типа.В работе [27] исследовано влияние допанта на температуру фа-зового перехода методом дилатометрии. Показано, что при введе-нии Ga3+ она уменьшается с 940 °С для Ba2In2O5 до 850 и 450 °Сдля составов Ba2(In0.9Ga0.1)2O5 и Ba2(In0.8Ga0.2)2O5. Данные соеди-нения характеризуются структурой браунмиллерита, в то время каксоставы с х  0.25 имеют структуру перовскита. Таким образом,

С книгой "Методы катионного и анионного допирования кислородноионных и протонных проводников" читают