книга

Физическая химия кристаллов с дефектами : лабораторный практикум

Здесь можно купить книгу "Физическая химия кристаллов с дефектами : лабораторный практикум" в печатном или электронном виде. Также, Вы можете прочесть аннотацию, цитаты и содержание, ознакомиться и оставить отзывы (комментарии) об этой книге.

Форматы: PDF

Издательство: Северо-Кавказский Федеральный университет (СКФУ)

Год: 2023

Место издания: Ставрополь

Страниц: 82

Артикул: 105664

Возрастная маркировка: 16+

Электронная книга

410 ₽

Купить и скачать

Читать фрагмент

Аннотация

Краткая аннотация книги "Физическая химия кристаллов с дефектами"

Практикум составлен в соответствии с требованиями Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования (ФГОС ВО 3++), с рабочим учебным планом и рабочей программой дисциплины «Физическая химия кристаллов с дефектами»; в нем представлены лабораторные работы, содержащие краткие теоретические сведения по каждой теме, методические указания по их выполнению, планы составления отчета, контрольные вопросы и задания по изучаемой теме и рекомендуемая литература. Предназначен для бакалавров, обучающихся по направлению подготовки 28.03.02 Наноинженерия, направленностям (профилям) «Диагностика материалов и наносистем в промышленности», «Нанотехнологии и наноматериалы».

Содержание

Содержание книги "Физическая химия кристаллов с дефектами : лабораторный практикум"

Предисловие
1. Техника безопасности в химических и аналитических лабораториях
2. Изучение процесса кристаллизации. Определение средней и мгновенной скорости роста кристалла
3. Получение дендритных кристаллов
4. Получение нестехиометрических кристаллов Zn1+xO
5. Определение ширины запрещенной зоны оксида цинка и уровней залегания дефектов по спектрам диффузного отражения
6. Получение игольчатых кристаллов антрахинона
7. Получение кристаллов ацетилсалициловой кислоты и их очистка методом перекристаллизации
8. Получение кристаллов солей кремниевой кислоты
Рекомендуемая литература

Отзывы

Все отзывы о книге Физическая химия кристаллов с дефектами : лабораторный практикум

Чтобы оставить отзыв, зарегистрируйтесь или войдите

Отрывок из книги Физическая химия кристаллов с дефектами : лабораторный практикум

49 5. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ОКСИДА ЦИНКА И УРОВНЕЙ ЗАЛЕГАНИЯ ДЕФЕКТОВ ПО СПЕКТРАМ ДИФФУЗНОГО ОТРАЖЕНИЯ Цель работы – ознакомиться с принципом определения ши-рины запрещенной зоны и энергий залегания дефектов в широ-козонных полупроводниках. В результате выполнения лабораторной работы студенты должны: знать: теоретические основы и принципы определения шири-ны запрещенной зоны и энергий залегания дефектов в широкозон-ных полупроводниковых материалах; уметь: выполнять подготовку проб для определения ширины запрещенной зоны и энергий залегания дефектов в широкозонных полупроводниковых материалах; владеть: навыками выполнения измерений и обработки спек-тров диффузного отражения на спектрофотометре СФ-56. Теоретическая часть Если световой поток Ф0 от какого-либо источника света S по-падает на предмет, то он частично ФR отражается от него, частич-но преломившись проникает вглубь тела. Прошедший вглубь предмета световой поток частично поглощается Фa, что сопровож-дается переходом лучистой энергии в какой-либо иной вид энер-гии, а некоторая часть Ф может пройти через тело. По закону со-хранения энергии сумма трех отдельных потоков должна быть равна энергии падающего потока: ФR+Фa+Ф=Ф0 (5.1) Если разделить обе части уравнения на падающий поток, то получим: ФR/Ф0+Фa/Ф0+Ф=1 (5.2) Отношение отраженного потока к падающему называется ко-эффициентом отражения – R (Reflection). Отношение поглощенно-го потока к падающему называется коэффициентом поглощения –

С книгой "Физическая химия кристаллов с дефектами" читают