Физические основы наноэлектроники

Содержание книги "Физические основы наноэлектроники "

Введение
1. Развитие электроники и классификация электронных приборов
1.1. Электронные электровакуумные приборы
1.2. Ионные электровакуумные (газоразрядные) приборы
1.3. Полупроводниковые приборы
1.4. Интегральные микросхемы (ИМС)
1.5. Переход к наноэлектронике
2. Элементы физики полупроводников и полупроводниковых приборов
2.1. Характерные признаки полупроводников
2.2. Элементы зонной теории полупроводников
2.3. Особенности зонной структуры некоторых полупроводников
2.4. Электронно-дырочный переход и его основные свойства
2.5. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов
2.6. Устройство и принцип действия полевых транзисторов
3. Технологические основы наноэлектроники и получение гетеросистем пониженной размерности
3.1. Различные методы изготовления полупроводниковых приборов
3.2. Гетеропереходы и барьеры Шоттки
3.3. Гетеросистемы пониженной размерности
3.4. Условия наблюдения квантово-размерных эффектов. Квантовые пленки, нити и точки
4. Особенности энергетического спектра электронов в системах пониженной размерности
4.1. Размерное квантование
4.2. Плотность состояний в системах различной размерности
4.3. Статистика электронов и дырок в полупроводниках
4.4. Влияние однородного электрического поля на энергетический спектр систем пониженной размерности
4.5. Экранирование электрического поля в структурах пониженной размерности
4.6. Энергетический спектр носителей заряда в наноструктурах со сложным профилем легирования
4.7. Механические напряженные полупроводниковые материалы в наноэлектронике на основе кремний-германиевых гетероструктур
5. Туннельные эффекты
5.1. Потенциальный барьер конечной ширины
5.2. Двухбарьерные структуры
5.3. Резонансно-туннельный диод (РТД)
6. Квантовый эффект Холла
6.1. Классический эффект Холла
6.2. Квантовый эффект Холла (КЭХ) в двумерном электронном газе
7. Кинетические эффекты в двумерных системах
7.1. Дрейфовая скорость и время релаксации
7.2. Механизмы рассеяния в 2D-системах
7.3. Подвижность электронов в системах с селективным легированием
7.4. Баллистический транспорт
8. Свойства квантовых нитей и точек
8.1. Баллистическая проводимость нитей
8.2. Связь квантового эффекта Холла с квантованием проводимости
8.3. Кулоновская блокада
8.4. Особенности переноса заряда в молекулярных структурах
9. Наноэлектронные приборы и системы
9.1. Физический принцип работы МДП-транзисторов
9.2. КНИ МОП-транзисторы
9.3. Транзисторы с гетероструктурами
9.4. Полупроводниковые излучающие диоды
9.5. Наноэлектронные лазеры
9.6. Наноэлектронные фотоприемники
9.7. Наноприборы на основе нанотрубок
9.8. Графеновый нанотранзистор
9.9. Одноэлектронные транзисторы
10. Основы функциональной электроники
10.1. Приборы с зарядовой связью (ПЗС)
10.2. Фотоприемные ПЗС
10.3. Акустические приборы
10.4. Магнитоэлектронные приборы. Введение в спинтронику
10.5. Квантовые компьютеры
11. Тестовые и контрольные вопросы
12. Задачи по физическим основам наноэлектроники
13. Дополнение. Уравнение Шредингера и методы его решения
Заключение
Список используемой литературы