Электротехника и электроника (раздел Электроника)
Здесь можно купить книгу "Электротехника и электроника (раздел Электроника) " в печатном или электронном виде. Также, Вы можете прочесть аннотацию, цитаты и содержание, ознакомиться и оставить отзывы (комментарии) об этой книге.
часть 1. Полупроводниковые приборы и физические основы их работы
Автор: Лариса Наумкина
Форматы: PDF
Серия: Высшее горное образование
Издательство: Московский государственный горный университет
Артикул: 21132
Краткая аннотация книги "Электротехника и электроника (раздел Электроника)"
Изложены физические принципы построения простейших электронных устройств, в основе которых лежит p-n-переход. Дан принцип работы различных типов диодов: выпрямительных, стабилитронов, стабисторов, диодов Шоттки, оптронов. Рассмотрено их использование для выпрямления переменного тока, в качестве диодных ограничителей, для выделения максимального и минимального сигналов, настройки резонансных контуров и стабилизации выпрямленного напряжения. Описана работа биполярных и полевых транзисторов. Приведены схемы использования их в ключах и переключателях тока. Для студентов вузов, обучающихся по специальности "Технология машиностроения".
Содержание книги "Электротехника и электроника (раздел Электроника) "
Предисловие
История развития электроники
Тема 1. Полупроводниковые диоды
1.1. Электропроводность твердого тела
1.2. Примесная электропроводность
Контрольные вопросы
1.3. Электронно-дырочный переход
1.3.1. Свойства p-n-перехода в равновесном состоянии
1.3.2. Прямое включение диода
1.3.3. Обратное включение диода
Контрольные вопросы
1.4. Разновидности полупроводниковых диодов и их использование
1.4.1. Выпрямительный диод и его вольтамперная характеристика (ВАХ)
1.4.2. Использование выпрямительных диодов
1.4.3. Диод Шоттки
1.4.4. Стабистор и стабилитрон
1.4.5. Варикап
1.4.6. Оптоэлектронные приборы
Контрольные вопросы
Тема 2. Транзисторы биполярные
2.1. Структура биполярного транзистора
2.2. Схемы включения транзисторов
2.3. Эквивалентная схема транзистора по схеме с ОЭ для малого (переменного) сигнала
2.4. Вольтамперная характеристика (ВАХ) транзистора по схеме с ОЭ
2.5. Транзистор как диодная сборка
2.6. Схема замещения транзистора по схеме с ОЭ
2.7. Основные параметры транзисторов с включением по схеме с ОБ и ОК
Контрольные вопросы
Все отзывы о книге Электротехника и электроника (раздел Электроника)
Отрывок из книги Электротехника и электроника (раздел Электроника)
Основные носители, например, электроны вследствие своего теплового движения, если на их пути нет никакого препятствия, проникают в р-область, так как р-область является вакуумом для электронов n-полупроводника. Время жизни электронов в полупроводнике р-типа невелико, они рекомбинируют с дырками полупроводника р-типа. Число свободных электронов становится тем меньше, чем более длительное время они находятся в полупроводнике р-типа, в частности, чем больше они удаляются от полупроводника п-типа. Диффундируя в соседнюю область, электроны оставляют в по-.ггупроводнике n-типа вблизи границы с полупроводником р-типа слой, обедненный свободными носителями заряда (сопротивление этого слоя велико) и состоящий из неподвижных донорных положительно заряженных ионов, покинутых свободными электронами (рис.1.5, в). С образованием объемного заряда в обедненном слое все больше и больше затрудняется диффузия электронов из полупроводника n-типа, пока, наконец, не будет переходить столько электронов, сколько требуется для поддержания уже имеющегося объемного заряда и компенсации эффекта рекомбинации. Все сказанное в отношении диффузии электронов из полупроводника n-типа в полупроводник р-типа относится и к дыркам полупроводника р-типа. Они также диффундируют в п-об-ласть, частично рекомбинируя, а образующийся в р-области отрицательный объемный заряд все больше препятствует их дальнейшему переходу в полупроводник п-типа. Итак, в p-n-переходе протекают одновременно довольно сложные процессы: диффузия, рекомбинация и образование объемного заряда. Равновесное состояние устанавливается в том случае, если все три фактора являются сбалансированными. Объемные заряды в р- и n-областях, организованные неподвижными ионами, образуют внутреннее электрическое поле с напряженностью Е (рис. 1.5, в). Так как Na ^ Nn, то p-n-переход в этом случае называется несимметричным. В состоянии равновесия объемные заряды по обе стороны p-n-перехода должны быть равны по величине и противоположны п...
Наумкина Л. Г. другие книги автора
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
С книгой "Электротехника и электроника (раздел Электроника)" читают
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Электротехника и электроника (раздел Электроника) (автор Лариса Наумкина)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!
и мы свяжемся с вами в течение 15 минут
за оставленную заявку