Физические основы микроэлектроники
Здесь можно купить книгу "Физические основы микроэлектроники " в печатном или электронном виде. Также, Вы можете прочесть аннотацию, цитаты и содержание, ознакомиться и оставить отзывы (комментарии) об этой книге.
Место издания: Москва|Берлин
ISBN: 978-5-4475-3301-4
Страниц: 266
Артикул: 21307
Краткая аннотация книги "Физические основы микроэлектроники"
Содержит лабораторные и практические работы по базовому курсу «Физические основы микроэлектроники». Представлены краткие теоретические сведения, связанные с исследованием основных параметров полупроводников, контактов и МДП-структур. Приведены примеры решения задач по различным разделам дисциплины, а также задачи для самостоятельного решения. Включен раздел, посвященный методам планирования эксперимента, обработки и оформления результатов работ. Для студентов специальностей 210201.65, 210202.65, а также родственных специальностей.
Содержание книги "Физические основы микроэлектроники "
Предисловие
Указания по технике безопасности
Введение
1. Обработка результатов измерений
1.1. Основные понятия и определения метрологии
1.2. Погрешности прямых измерений
1.2.1. Поправки
1.2.2. Случайные погрешности
1.2.3. Погрешность прибора
1.2.4. Погрешность округления. Полная погрешность прямого измерения
1.3. Погрешность косвенных измерений
1.3.1. Вычисление абсолютной и относительной погрешностей
1.3.2. Схемы и формулы расчета погрешностей
1.3.3. Планирование эксперимента и оценка погрешности
1.4. Приближенные вычисления
1.5. Единицы измерения физических величин
1.6. Оформление результатов измерений
Контрольные вопросы
2. Лабораторные работы
2.1. Исследование характеристических параметров полупроводников
Основные сведения из теории
Измерительная установка и методика измерений
Порядок выполнения работы
2.2. Исследование полупроводников с помощью эффекта Холла
Основные сведения из теории
Измерительная установка и методика измерений
Порядок выполнения работы
2.3. Исследование эффекта поля в полупроводниках на базе полевого транзистора
Основные сведения из теории
Порядок выполнения работы и описание установки
2.4. Определение потенциала Ферми в полупроводниках с помощью коэффициента термоЭДС
Основные сведения из теории
Описание установки
Задание и отчетность
2.5. Определение коэффициента Пельтье компенсационным методом
Основные сведения из теории
Описание установки и порядок выполнения работы
Порядок выполнения работы
2.6. Контакт металл-полупроводник
Основные сведения из теории
Теория метода и описание установки
Порядок выполнения работы
2.7. Изучение электрофизических процессов в p-n – переходе
Основные сведения из теории
Описание лабораторной установки
Порядок выполнения работы
2.8. Исследование кинетики формовки оксидных пленок при электрохимическом окислении металлов
Основные сведения из теории
Описание установки и анодирование
Изменение динамики роста и свойств оксидной пленки
Задание и отчетность
2.9. Исследование процессов в полупроводниковом фоторезисторе
Основные сведения из теории
Теория метода и описание установки
Порядок выполнения работы
2.10. Полупроводники в сильных электрических полях
Основные сведения из теории
Порядок выполнения работы
2.11. Свойства тонких проводящих пленок
Основные сведения из теории
Порядок выполнения работы
3.Решение задач
3.1. Структура твердых тел
Основные справочные формулы
Примеры решения задач
Задачи
3.2. Энергетические состояния микрочастиц
Основные справочные формулы
Примеры решения задач
Задачи
3.3. Электрические свойства твердых тел
Основные справочные формулы
Примеры решения задач
Задачи
3.4. Свойства p-n – перехода
Основные справочные формулы
Примеры решения задач
Задачи
Заключение
Библиографический список
Приложения
П.1. Фундаментальные физические постоянные
П.2. Свойства полупроводников
П.3. Некоторые единицы системы СИ
П.4. Внесистемные единицы, допускаемые к применению
П.5. Плотность некоторых твердых тел
Все отзывы о книге Физические основы микроэлектроники
Книга Физические основы микроэлектроники: практикум очень информативна и понятна. Я нашла в ней много полезных сведений, которые помогли мне лучше понять тему. Рекомендую к прочтению всем, кто интересуется данной областью.
Книга Физические основы микроэлектроники: практикум отлично структурирована и написана понятным языком. Информация представлена лаконично, что делает усвоение материала более эффективным. Рекомендую как надежный источник знаний в области микроэлектроники.
Отрывок из книги Физические основы микроэлектроники
меньше σ. В теории вероятности показано, чтоnnσσ=, следовательно, средняя квадратичная погрешность окончательного результата опыта ∑=∆−=niinxnnS12)1(1, (1.8) а полуширина доверительного интервала nPSxλ=∆. (1.9) Чем больше число наблюдений n, тем точнее при-ближенное равенство (при ∞→n σ = S), однако прак-тически нецелесообразно проводить большее число измерений для определения одной величины. В учеб-ных лабораториях, как правило, n ~ 10. Это приводит к тому, что при заданной погрешности расширяется ин-тервал Δх, т.е. увеличивается множитель λP. Причем для различных n это увеличение будет различным. Таким образом, λP трансформируется в новый коэф-фициент tn,p – коэффициент Стьюдента (табл. 1.1), причем в пределе при n→∞; pppnttλ=→∞,,. Таблица 1.1 Коэффициенты Стьюдента n Pд= 0,5 Pд= 0,6 Pд=0,7 Pд=0,8 Pд=0,9 Pд= 0,95 Pд= 0,98 Pд= 0,99 2 1,00 1,38 1,96 3,08 6,31 12,71 31,82 63,66 3 0,82 1,06 1,34 1,89 2,92 4,30 6,97 9,93 4 0,77 0,98 1,25 1,64 2,35 3,18 4,54 5,84 5 0,74 0,94 1,19 1,53 2,13 2,78 3,75 4,60 6 0,73 0,92 1,16 1,48 2,02 2,62 3,37 4,03 7 0,72 0,91 1,13 1,44 1,94 2,45 3,14 3,71 8 0,71 0,90 1,12 1,42 1,90 2,37 3,00 3,50 9 0,71 0,89 1,11 1,40 1,86 2,31 2,90 3,36 10 0,70 0,88 1,10 1,38 1,83 2,26 2,82 3,25 16 0,69 0,87 1,07 1,34 1,75 2,13 2,60 2,95 25 0,69 0,86 1,06 1,32 1,71 2,06 2,49 2,80 18
Игумнов В. Н. другие книги автора
С книгой "Физические основы микроэлектроники" читают
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Физические основы микроэлектроники (автор Владимир Игумнов)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!
и мы свяжемся с вами в течение 15 минут
за оставленную заявку