Управление техническим уровнем высокоинтегрированных электрон­ных систем (научно-технологические проблемы и аспекты развития)

Содержание книги "Управление техническим уровнем высокоинтегрированных электрон­ных систем (научно-технологические проблемы и аспекты развития) "

Список условных сокращений
Введение
Глава 1. Исследование направлений и путей развития сложно-функциональных изделий микроэлектроники, проектирование РЭА на основе СБИС типа «система на кристалле»
1.1. Исследования направлений и путей развития сложнофункциональных изделий микроэлектроники, их функционального состава и характеристик
1.2. Особенности конструирования СБИС типа «система на кристалле», основные проектные платформы СБИС типа «система на кристалле»
1.2.1. Процессорные ядра и СФ-блоки многократного использования
1.2.2. СБИС типа «система на кристалле» на базе реконфигурируемых структур
1.2.3. Встраиваемые программируемые логические ядра
1.2.4. Аналоговые функциональные блоки и блоки со смешанной обработкой сигнала для СБИС типа «система на кристалле»
1.2.5. СФ-блоки цифровых приемников/передатчиков типа «система на кристалле»
Выводы к главе 1
Глава 2. Разработка и обеспечение реализации научно-методических принципов управления научно-техническим уровнем высокоинтегрированных электронных систем
2.1. Системный анализ физико-технологических ограничений реализации развития технического уровня сложнофункциональных микроэлектронных систем
2.2. Анализ функциональной полноты и достаточности разрабатываемых и планируемых к разработке СФ-блоков для проектируемых СнК в обеспечение РЭА
2.2.1. Структурные решения СБИС типа «система на кристалле», направления их развития и опыт реализации
2.2.2. Определение степени применяемости СФ-блоков
2.3. Оценка достаточности действующей НТД по разработке и производству СБИС типа СнК с использованием СФ-блоков
2.3.1. Направления перспективных работ по созданию нормативных документов по СФ-блокам и СБИС типа СнК в интересах РЭА
2.4. Организация разработки СБИС типа «система на кристалле» на основе СФ-блоков
2.4.1. Инфраструктура разработки СБИС типа СнК
2.4.2. Основные методические этапы по развитию инфраструктуры проектирования СФ-блоков и СнК
2.4.3. Современные подходы к проектированию СБИС с топологическими нормами 0,18—0,25 мкм и последующим переходом в нанометровые области
2.5. Применение статистического метода для анализа и прогнозирования развития проектно-технологического базиса сложнофункциональных СБИС
Выводы к главе 2
Глава 3. Формирование унифицированной номенклатуры СФ-блоков по технологии КМОП/КНС для создания радиационно-стойких СБИС типа «система на кристалле»
3.1. Анализ направлений и путей развития в области проектирования и изготовления сложнофункциональных изделий микроэлектроники типа СБИС «система на кристалле» на основе СФ-блоков, анализ проектно-технологических возможностей по их реализации
3.1.1. Исследование архитектурно-структурных решений СБИС типа СнК
3.2. Специальные требования к СФ-блокам СБИС типа «система на кристалле», предназначенным для работы в аппаратуре космических аппаратов с длительным сроком эксплуатации
3.3. Тенденции развития СБИС для бортовой космической аппаратуры. Выбор и обоснование технологии, обеспечивающей изготовление СБИС типа «система на кристалле» для космических аппаратов с длительным сроком эксплуатации
Выводы к главе 3
Глава 4. Исследования по созданию технологии производства структур с ультратонкими слоями кремния на сапфире
4.1. Анализ современного состояния технологий производства КНС структур с ультратонким эпитаксиальным слоем кремния и КМОП-микросхем на основе КНС структур с ультратонким слоем кремния
4.2. Создание СБИС, в том числе типа «система на кристалле», и СФ-блоков для них по технологии КМОП/КНС аппаратуры управления ракетно-космической техники и автоматики специального назначения
4.3. Разработка и создание технологии КНС структур с ультратонкими слоями кремния и проектных решений для реализации КМОП/КНС СБИС на их основе
Выводы к главе 4
Заключение
Литература
Приложения
Приложение А (Справочно-аналитическое). Научно-методические рекомендации (аннотировано). Исследование и разработка методов физико-технического и нормативно-методического контроля технического уровня СБИС с предельными топологическими нормами
Приложение Б. Информационная среда проектирования. Методические рекомендации. Состав и основное содержание разделов справочно-информационного листа для описания СФ-блоков на различных этапах интеграции в СБИС и требования к содержанию заявки на разработку СБИС типа «система на кристалле»
Приложение В (аннотировано). Информационная среда проектирования. Методические рекомендации по правилам заказа на изготовление СБИС в режиме Foundry