Индуктивные источники высокоплотной плазмы и их технологические применения

Содержание книги "Индуктивные источники высокоплотной плазмы и их технологические применения "

Введение
ГЛАВА 1. Современные источники плазмы для технологических применений. Преимущества источников ICP
1.1. Технологические аспекты применения газоразрядной плазмы
1.1.1. Плавающий электрод в плазме
1.1.2. Плотность плазмы и ионный ток
1.1.3. Ток на электрод, находящийся под высокочастотным потенциалом
1.2. Способы и устройства формирования технологической плазмы
1.2.1. Диодный емкостный плазменный реактор
1.2.2. Индукционный ВЧ источник плазмы (ICP источник)
1.3. Свойства индукционного разряда при низком давлении
1.3.1. Зависимость плотности плазмы от вкладываемой в разряд ВЧ мощности
1.3.2. Поглощение высокочастотной мощности плазмой
1.3.3. Согласование источника ICP с цепями питания
1.3.4. Определение характерных величин разряда по его внешним параметрам
ГЛАВА 2. Конструкции антенн источников ICP
2.1. Локальные антенны источников ICP
2.1.1. Планарные антенны
2.1.1.1. Планарные антенны вне рабочей камеры (внешние антенны)
2.1.1.2. Планарные антенны, погруженные в плазму (внутренние антенны)
2.1.2. Антенны с цилиндрической катушкой
2.1.2.1. Антенны с цилиндрической катушкой вне камеры (внешние антенны)
2.1.2.2. Антенны с цилиндрической катушкой, погруженной в плазму (внутренние антенны)
2.2. Источники ICP для обработки деталей большой площади
2.2.1. Внешние антенны источников ICP большой площади
2.2.2. Внутренние антенны источников ICP большой площади
2.2.2.1. Планарные спиральные антенные катушки
2.2.2.2. Антенны из линейных элементов
2.2.2.3. Внутренние антенны с разомкнутыми ферромагнитными сердечниками
2.2.2.4. Антенны с постоянным магнитным полем
2.2.2.5. Источники ICP ячеистой структуры
2.2.2.6. Источники пучков нейтральных частиц
ГЛАВА 3. Нанесение тонких пленок с ассистированием источником ICP
3.1. Нанесение тонких пленок конденсацией паров в вакууме с ассистированием источником ICP
3.1.1. Нанесение тонких пленок распылением мишени с помощью источника ICP
3.1.2. Повышение степени активации распыленных частиц в процессах нереактивного магнетронного нанесения
3.1.3. Повышение степени активации частиц реактивного газа в процессах реактивного магнетронного нанесения
3.1.4. Резюме
3.2. PECVD процессы осаждения тонких пленок с ассистированием источником ICP
3.2.1. Пленки углерода
3.2.2. Пленок кремния
3.2.3. Пленок нитрида и оксида кремния
3.2.4. Пленок нитридов тугоплавких металлов
ГЛАВА 4. Плазмохимическое травление различных материалов с помощью источников ICP
4.1. Общие принципы плазмохимического травления с помощью источников ICP
4.2. Процессы формирования трехмерных структур в различных материалах
4.2.1. В подложках кремния
4.2.1.1. Бош процесс
4.2.1.2. Крио процесс
4.2.1.3. Одностадийные процессы без применения криогенных температур подложки
4.2.1.4. Резюме по плазмохимическому травлению кремния:
4.2.2. В карбиде кремния
4.2.2.1. Травление подложек SiC
4.2.2.2. Вытравление сквозных отверстий в подложках SiC с эпитаксиальными слоями GaN
4.2.2.3. Резюме по травлению карбида кремния
4.2.3. В кварце
4.2.4. В сапфире
4.2.5. В нитриде галлия
4.2.5.1. Оптимизация режимов травления GaN
4.2.5.2. Селективное травление GaN
4.2.6. В арсениде галлия
4.2.7. В других сложных полупроводниках (InP, InGaP, InAs, InSb, GaSb, AlGaAsSb и InGaAsSb)
4.2.8. В полимерах
4.3. Формирование двумерных структур в тонких пленках различных материалов
4.3.1. В пленках кремния
4.3.2. В пленках нитрида кремния
4.3.3. В пленках окисла кремния
4.3.4. В пленках металлов и сплавов
4.3.5. В пленках нитридов металлов
4.3.6. В пленках окислов металлов
4.3.7. В пленках полимеров
ГЛАВА 5. Изменение свойств поверхности различных материалов при обработке в источнике ICP
5.1. Поверхность GaN
5.1.1. Обработка в плазме аргона
5.1.2. Обработка в плазме азота
5.1.3. Обработка в плазме кислорода
5.1.4. Обработка в плазме галогеносодержащих газов
5.1.5. Резюме по последствиям обработки в плазме поверхности нитрида галлия
5.2. Поверхность GaAs и других сложных полупроводников
5.3. Поверхность кремния и окисла кремния
5.4. Поверхность полимеров
5.5. Азотирование поверхности стальных деталей
5.6. Поверхность других материалов
Заключение
Список литературы