Методы решений уравнений Лапласа и Пуассона применительно к электродинамике полупроводников

Содержание книги "Методы решений уравнений Лапласа и Пуассона применительно к электродинамике полупроводников "

Предисловие
Глава 1. Уравнения Лапласа и Пуассона в электродинамике
1.1. Напряженность и потенциал
1.2. Силовые линии и линии напряженности
1.3. Теорема Гаусса
1.4. Уравнения Пуассона и Лапласа
1.5. Общая характеристика методов решения уравнений Пуассона и Лапласа
1.6. Компьютерное моделирование электрических полей системы точечных зарядов
Глава 2. Основные методы решения уравнений Лапласа и Пуассона
2.1. Метод Фурье решения уравнения Лапласа
2.1.1. Решение уравнения Лапласа в цилиндрических координатах
2.1.2. Решение уравнения Лапласа в сферических координатах
2.2. Метод конформных отображений
2.3. Функция источника и метод Грина решения краевых задач
2.4. Метод конечных элементов
2.5. Расчет полей по методу сеток
Глава 3. Электрические потенциалы в ограниченных полупроводниках при измерениях контактными методами
3.1. Распределение потенциала стационарного электрического тока в однородных полупроводниках прямоугольной формы
3.2. Распределение холловского потенциала в ограниченных прямоугольных полупроводниках
3.3. Распределение электрического потенциала в однородных полупроводниковых дисках
3.4. Холловское поле в полупроводниковых дисках
3.5. Расчет распределения потенциала в полупроводниковых образцах при зондовых измерениях
Глава 4. Моделирование влияния реальных неоднородностей на электрические свойства ограниченных полупроводников
4.1. Особенности электрических свойств диффузионных и ионно-легированных полупроводников
4.1.1. Анализ распределения примесей в диффузионных и ионно-легированных полупроводниках
4.1.2. Теоретическое моделирование полей при зондовых измерениях в диффузионных и ионно-легированных полупроводниках
4.1.3. Компьютерное моделирование электрических полей в диффузионных легированных полупроводниках
4.2. Особенности распределений электрических полей в полупроводниковых материалах с неоднородностями n
^{4.2.1. Теоретический расчет электрических полей в двухслойных полупроводниковых структурах
4.2.2. Компьютерное моделирование и анализ распределений потенциала и токовых линий
4.3. Математическая модель резкого p-n-перехода в состоянии равновесия
Вопросы и задания
Вопросы и задания для контроля знаний по главе 1
Вопросы и задания для контроля знаний по главе 2
Вопросы и задания для контроля знаний по главе 3
Вопросы и задания для контроля знаний по главе 4
Заключение
Список используемой литературы}